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YLN04-0812C1
主要特性

■ 工作频率范围 : 8 GHz to 12 GHz

■ 噪声系数 : 1.1 dB

■ 射频增益 : 32 dB

■ P1dB输出功率 : 10 dBm

■ 输入回波损耗 : > 15 dB

■ 输出回波损耗 : > 15 dB

■ 芯片总功耗 : 55 mA @ 5 V

■ 芯片尺寸 = 2.5 mm x 2.0 mm

■ 100%电性能测试

■ 目检合格Known Good Die (KGD)


描述

   YLN04-0812C1是一款K波段高性能砷化镓工艺低噪声放大器MMIC芯片。其噪声系数低至1.1dB,通带内射频增益达32dB,芯片通带内的输入回波损耗为15dB、输出回波损耗为15dB;被广泛应用于通信和仪器仪表领域。

   YLN04-0812C1采用OMMIC特有的全球领先70nm栅宽高掺铟mHEMT工艺技术(D01PH工艺*)生产制备;同时,芯片采用了金材质焊盘设计、背面金属化和全局氮化硅钝化层保护,以达到最高等级可靠性。

   *D01PH工艺已通过宇航级认证,被欧洲宇航局收录入欧洲首选器件列表(the European Preferred Parts List,EPPL)。


应用领域

■ 电信通信系统

■ 仪器仪表领域


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Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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