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YLN07-0713C1
主要特性

■ 工作频率范围 : 7.5 GHz to 13 GHz

■ 单边供电

■ 噪声系数 : 1.6 dB

■ 射频增益 > 16 dB

■ 增益平坦度 : +/-0.8 dB

■ P1dB输出功率 : 17 dBm

■ 输入端口耐受功率 : 21dBm CW / 31dBm 10us 10% pulse

■ 三阶截获(TOI)点功率  : 29 dBm

■ 输入回波损耗 : 12 dB

■ 输出回波损耗 : 15 dB

■ 供电方式 : 82 mA @ 5V

■ 封装形式 : QFN 4*4mm 24 Leads

■ 满足航天级和美军标

■ 100%电性能测试

■ 目检合格Known Good Die (KGD)


描述

  YLN07-0713C1是一款X波段高性能单边供电砷化镓工艺塑封(QFN形式)低噪声放大器MMIC芯片;其噪声系数低至1.6dB,通带内射频增益最小值为16dB。芯片通带内的输入回波损耗为12dB、输出回波损耗为12dB;被广泛应用于通信和仪器仪表领域。

  YLN07-0713C1采用OMMIC特有的全球领先0.13nm栅宽pHEMT工艺技术(D01PH工艺*)生产制备;同时,芯片采用了金材质焊盘设计、背面金属化和全局氮化硅钝化层保护,以达到最高等级可靠性。

  *D01PH工艺已通过宇航级认证,被欧洲宇航局收录入欧洲首选器件列表(the European Preferred Parts List,EPPL)。


应用领域

■ 电信通信系统

■ 仪器仪表领域


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Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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