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YLN08-0812C1
主要特性

■ 工作频段:8GHz-12GHz

■ 单电源供电

■ 噪声系数<1.3dB

■ 增益>30dB

■ 增益平坦度+/-1dB

■ 输出P1dB>13.4dBm

■ 输入回波损耗:16.5dB

■ 输出回波损耗:16.5dB

■ 电源:69mA@4V

■ 芯片尺寸2.4mm x 1.35mm


描述

  YLN08-0812C1是一款单电源供电的高性能GaAs低噪声放大器MMIC,工作在X波段。

  YLN08-0812C1有极低的噪声系数1.3dB,增益大于30dB。良好的在片匹配使得输入和输出回波损耗优于16.5dB。该芯片主要用于雷达、通信和仪器仪表等领域。

  该芯片采用PHEMT工艺制造.


应用领域

■ 电信通信系统

■ 仪器仪表领域


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Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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