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YLN08-0812C2
主要特性

■ 工作频段: 8 GHz to 12 GHz

■ 噪声系数 < 1.2dB

■ 增益: 28dB

■ 增益平坦度: +/-0.5dB

■ 输出 P1dB>13dBm

■ 输入驻波<1.5dB

■ 输出驻波<1.5dB

■ 电源:59mA@4V

■ 芯片尺寸2.0mm x 1.1mm


描述

  YLN08-0812C2 是一款高性能 GaAs 低噪放 MMIC芯片 ,工作与X波段。

  YLN08-0812C2 拥有 1.2 dB的超低噪声系数和最小28 dB 的增益.,该芯片能提供优于 15 dB的输入输出回波损耗。它能用于雷达、电信通讯、仪器仪表等领域。

  该芯片采用PHEMT工艺制造。


应用领域

■ 电信通信系统

■ 仪器仪表领域


上一条:YLN09-1315C1
下一条:YLN24-1218C1

Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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