技术支持:(+86)028-61962718
YLN09-1315C1
主要特性

■ 工作频率范围 : 13 GHz to 15 GHz

■ 噪声系数 1.5 dB at 14 GHz

■ 射频增益 : 25 dB at 14 GHz

■ P1dB输出功率 : 8 dBm

■ 输出三次谐波IP3 : 17 dBm

■ 输入回波损耗 : > 11 dB at 14 GHz

■ 输出回波损耗 : > 20 dB at 14 GHz

■ 芯片总功耗 : 20 mA at 3.3 V

■ 单边正偏供电

■ 芯片尺寸 = 2.2 mm x 1.1 mm

■ 满足航天级和美军标

■ 100%电性能测试

■ 目检合格Known Good Die (KGD)


描述

    YLN09-1315C1是一款Ku频段高性能砷化镓工艺低噪声放大器MMIC芯片;其噪声系数低至1.5dB,通带内射频增益达25dB,芯片总功耗仅有60mW。芯片通带内的输入回波损耗为11dB、输出回波损耗为11dB(at 14GHz);被广泛应用于通信和仪器仪表领域。

    YLN09-1315C1采用OMMIC特有的全球领先0.13μm栅宽pHEMT工艺技术(D01PH工艺*)生产制备;同时,芯片采用了金材质焊盘设计、背面金属化和全局氮化硅钝化层保护,以达到最高等级可靠性。

    *D01PH工艺已通过宇航级认证,被欧洲宇航局收录入欧洲首选器件列表(the European Preferred Parts List,EPPL)。


应用领域

■ 电信通信系统

■ 仪器仪表领域


上一条:YLN10-1315C1
下一条:YLN24-1218C1

Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

龙8游戏手机网页登录                       版权所有 Copyright(C) 2007-2021                             工信部备案号:蜀ICP备15033871号-1


  • 扫描二维码
    关注龙8游戏手机网页登录最新消息

需要龙8游戏手机网页登录的帮助吗?
欢迎与龙8游戏手机网页登录联系。
(+86)028-61962718
(+86)028-61962728
四川省成都市青羊工业园敬业路218号K7栋2楼