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YLN12-1826C1
主要特性

■ 工作频率范围 : 18 to 26 GHz

■ 增益平坦度: 19dB (+/-0.4dB) overall bandwidth

■ 噪声系数: < 1.5 dB on overall bandwidth (1.2dB at 22GHz)

■ 单边正/负偏压 (+ and -1.5V)

■ 较低芯片总功耗

■ P1dB输出功率 : > 5dBm ( 7dBm@22GHz)

■ 输入端口耐受功率 : Max +19dBm CW Input power

■ 输入/输出匹配阻抗: 50 Ohms

■ 输入回波损耗: > 12 dB at 22GHz

■ 输出回波损耗: > 11 dB at 22GHz

■ 芯片尺寸 = 1.5 x 2.0 mm

■ 满足航天级和美军标

■ 100%电性能测试

■ 目检合格Known Good Die (KGD)


描述

   YLN12-1826C1是一款K波段高性能砷化镓工艺低噪声放大器MMIC芯片;该芯片具有超低噪声系数:1.2dB,以及极为平坦的射频增益:19dB(增益平坦度:± 0.4dB)。芯片通带内的输入回波损耗为12dB、输出回波损耗为11dB;由于芯片在全温范围内增益和噪声系数非常稳定,被广泛应用于通信和仪器仪表领域。

   YLN12-1826C1采用OMMIC行业领先的70nm栅宽高掺铟mHEMT工艺生产制备;同时,芯片采用了金材质焊盘设计、背面金属化和全局氮化硅钝化层保护,以达到最高等级可靠性。


应用领域

■ 电信通信系统

■ 仪器仪表领域


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Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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