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YCC09-08126C1
主要特性

■ 工作频率范围 : 8.5 GHz to 12 GHz

■ 增益(典型值) : 8 dB at 10 GHz

■ 低均方根相位误差 ≈ 5.0° @ 10 GHz

■ 低均方根幅度误差 ≈ 0.25 dB @ 10GHz

■ 噪声系数 : 7 dB at 10 GHz

■ P1dB 输出功率 > +12 dBm at maximum gain

■ S11 < -14 dB at 10 GHz (all states)

■ S22 < -18 dB at 10 GHz (all states)

■ Convenient CMOS

■ 芯片总功耗 < 0.8 W

■ 芯片尺寸 = 4365 x 4165 μm ± 5 μm

■ 100%电性能测试

■ 目检合格Known Good Die (KGD)


描述

    YCC09-08126C1是一款X波段6位高性能砷化镓工艺MMIC收/发芯片,单片集成了一个6位移相器、一个6位衰减器和一个开关。YCC09-08126C1具有0~360°的移相范围和0~31.5dB的增益衰减范围;它的工作频率范围为8GHz~12GHz,被广泛应用于电信通信系统和仪器仪表等应用领域。

    同时,YCC09-08126C1片内集成了串并转换电路,这极大的简化了芯片的接口。

    YCC09-08126C1采用OMMIC特有的0.18μm栅宽pHEMT砷化镓工艺技术*生产制备;金材质焊盘设计、背面金属化工艺、全局氮化硅钝化层保护,芯片具有最高等级的可靠性。

   *该工艺已通过宇航级认证,被欧洲宇航局收录入欧洲首选器件列表(the European Preferred Parts List,EPPL)。


应用领域

■ 电信通信系统

■ 仪器仪表领域


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Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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